Solid CVD SiC
반도체 핵심 부품소재
Si·Quartz를 대체하는 차세대 반도체 소모성 부품 소재.
10nm 이하 초미세 공정에 최적화된 고순도 SiC 부품을 공급합니다.
SiC 부품소재 사업 개요
왜 SiC인가?
반도체 공정이 10nm 이하로 미세화됨에 따라 기존 Si·Quartz 소재의 한계가 명확해졌습니다. Solid CVD SiC는 내플라즈마성이 Si 대비 10배 이상 우수하며, 파티클 발생이 극히 적어 초미세 공정의 수율을 크게 향상시킵니다.
- 내플라즈마성: Si 대비 10배 이상 우수
- 파티클 Zero 특성으로 수율 향상
- 부품 수명 2~3배 연장으로 TCO 절감
- 고순도(99.999% 이상) SiC 소재 적용
- 삼성전자·SK하이닉스 등 선진 반도체 제조사 납품 실적
소재 비교
| 특성 | Si | Quartz | CVD SiC |
|---|---|---|---|
| 내플라즈마성 | 보통 | 보통 | 우수 |
| 파티클 발생 | 높음 | 중간 | 극소 |
| 부품 수명 | 기준 | 1.5배 | 2~3배 |
| 고온 안정성 | 보통 | 보통 | 우수 |
| 순도 | 99.9% | 99.99% | 99.999%+ |
주요 제품 라인업
SiC Ring (에칭 링)
Dry Etcher 장비의 핵심 소모성 부품으로, Si·Quartz 대비 내플라즈마성이 우수합니다. 10nm 이하 초미세 공정에서 파티클 발생을 최소화하여 수율을 향상시킵니다.
Cover Ring / Edge Ring
웨이퍼 엣지 보호용 Cover Ring 및 Edge Ring을 공급합니다. 고순도 Solid CVD SiC 소재로 제작하여 오염 없는 공정 환경을 제공합니다.
CVD SiC 코팅 세라믹 부품
Graphite 기재 위에 CVD SiC 코팅을 적용하여 내플라즈마성 및 내산화성을 향상시킨 세라믹 부품입니다. LED MOCVD용 Susceptor 등 고온 공정에 적용됩니다.
SiC 세라믹 샤워헤드
CVD 장비용 가스 분배 샤워헤드를 SiC 소재로 공급합니다. 균일한 가스 분배와 내플라즈마성으로 공정 안정성을 높입니다.
SiC 포커스 링
이온 빔 집중을 위한 포커스 링(Focus Ring)을 SiC 소재로 제작합니다. 플라즈마 에칭 공정에서 웨이퍼 균일도를 향상시킵니다.
SiC 라이너 / 튜브
반도체 열처리 장비용 SiC 라이너 및 튜브를 공급합니다. 고온 환경에서 뛰어난 내열성과 내화학성을 발휘합니다.
CVD SiC 제조 공정
고온 CVD 반응로 시스템
SiC 박막 증착을 위한 산업용 화학기상증착 장비
원료 투입 및 전처리
고순도 SiC 원료 선별 및 Graphite 기재 전처리(세정·탈지·건조)
CVD 증착
1,400~1,600°C 고온 CVD 반응로에서 SiC 박막 증착 (두께 제어 ±5μm)
가공 및 연마
CNC 정밀 가공 및 다이아몬드 연마로 치수 정밀도 ±0.01mm 달성
고순도 세정
HF·HNO₃ 혼합 세정 및 초순수(UPW) 린스로 금속 불순물 ppb 이하 제거
품질 검사
XRD 결정 구조 분석, SEM 표면 검사, 파티클 측정(0.1μm 이하), 치수 검사
포장 및 출하
클린룸 환경에서 진공 포장 후 출하, 성적서(CoA) 동봉
적용 사례
Dry Etcher SiC Ring 정기 공급
국내 주요 반도체 제조사의 Dry Etcher 장비용 SiC Ring 정기 공급 계약 체결
파티클 발생 50% 감소, 부품 교체 주기 2배 연장, 수율 향상 기여
MOCVD Susceptor CVD SiC 코팅
LED 제조사 MOCVD 장비용 Graphite Susceptor에 CVD SiC 코팅 적용
내산화성 향상으로 부품 수명 3배 연장, 오염 감소로 LED 품질 개선
CVD 장비용 SiC 샤워헤드 공급
디스플레이 CVD 장비의 가스 분배 샤워헤드를 SiC 소재로 교체
가스 분배 균일도 향상, 막 두께 균일성 개선, 공정 안정성 확보
SiC 부품 견적 요청
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